Cyhoeddodd Samsung Electronics ei fod wedi dechrau cynhyrchu màs o'r modiwlau cof DDR4 mwyaf datblygedig gyda maint o 8 Gb, ac ynghyd â nhw mae wedi dechrau cynhyrchu'r modiwlau RAM DDR32 4 GB cyntaf a fwriedir ar gyfer gweinyddwyr corfforaethol. Mae'r RAMau newydd hyn yn cael eu cynhyrchu gan ddefnyddio'r broses weithgynhyrchu 20-nm newydd, sef yr un broses a ddefnyddir i gynhyrchu hyd yn oed y proseswyr symudol mwyaf datblygedig heddiw. Mae Samsung yn honni bod y modiwlau cof hyn yn bodloni holl ofynion perfformiad uchel, dwysedd uchel ac arbed ynni mewn gweinyddwyr corfforaethol cenhedlaeth nesaf.
Yn ogystal, gyda'r modiwlau 8Gb DDR4 newydd, cwblhaodd Samsung y rhestr gyfan o fodiwlau DRAM a weithgynhyrchwyd gan ddefnyddio'r broses weithgynhyrchu 20-nm. Heddiw, mae'r gyfres hon yn cynnwys 6Gb LPDDR3 ar gyfer dyfeisiau symudol a modiwlau 4Gb DDR3 ar gyfer cyfrifiaduron personol. Yna, fel y crybwyllwyd uchod, mae Samsung yn dechrau cynhyrchu modiwlau cof 32GB RDIMM sy'n cynnig cyfradd drosglwyddo o 2 Mbps y pin, sef cynnydd o 400% mewn perfformiad o'i gymharu â chyfradd trosglwyddo 29 Mbps o gof gweinydd DDR1. Ond nid yw galluoedd y dechnoleg hon yn dod i ben ar 866 GB, a dywedodd Samsung ei bod hi'n bosibl datblygu modiwl cof hyd at 3 GB trwy ddefnyddio technoleg TSV 32D. Mantais y modiwlau newydd hefyd yw'r defnydd is a grybwyllir, gan fod angen 3 folt ar y sglodion DDR128 hyn, sef y foltedd isaf posibl ar hyn o bryd.
//
//
*Ffynhonnell: Samsung
