Cyhoeddodd Samsung a Qualcomm chipset arall a fydd wrth galon sawl ffôn newydd. Snapdragon 835 ydyw ac fe'i gweithgynhyrchir gan ddefnyddio technoleg FinFET 10nm. Yn ôl gwybodaeth a ddaw o China, bydd y prosesydd yn cynnig wyth craidd yn lle pedwar. Felly bydd y Snapdragon 835 yn stinger go iawn.
Bydd y sglodyn Adreno 540, SoC gyda chefnogaeth ar gyfer technoleg UFS 2.1 ac eraill yn gofalu am brosesu graffeg. Mae Universal Storage Flash 2.1 yn cynnig gwelliannau sylweddol dros fersiynau blaenorol, gan ddod â gwell diogelwch a mwy. Yn ôl pob tebyg, hwn fydd y model cyntaf i dderbyn y prosesydd newydd Galaxy S8, a ddylai gyrraedd yn hanner cyntaf y flwyddyn nesaf.
Dylid nodi hefyd fod y ddogfen yn cyfeirio at chipset dirybudd arall gan Qualcomm y dylem ei ddisgwyl yn Ch2 2017. Bydd y Snapdragon 660 yn dod ag wyth craidd, ynghyd â chefnogaeth Adreno 512 GPU ac UFS 2.1. Fodd bynnag, bydd y Snapdragon 660 yn cael ei gynhyrchu gan ddefnyddio proses 14nm, nid 10nm.
Ffynhonnell: Phonearena
